三星决定放弃1b DRAM研发，转战1c DRAM

三星电子最近制定了在2022年6月之前完成第六代1c DRAM芯片的开发。据BusinessKorea报道，三星电子已要求研究人员停止或跳过12纳米芯片1b DRAM的开发。

有分析认为，三星电子是想扩大与SK海力士、美光科技等竞争对手的技术差距。另外，三星也不是第一次放弃d内存的开发阶段，以达到更高的水平。此前，三星电子放弃了28nm DRAM的批量生产，转而专注于25nm DRAM的生产。

实际上，11nm DRAM的生产需要先进的技术，因此不是一件容易的事情。但据BusinessKorea报道，三星电子在1a DRAM的量产方面落后于两家竞争对手，因此面临着在完成之前开发1c DRAM的巨大压力，因此希望能找到解决之道。