GMR巨磁传感器不仅精度高

传感器系列产品的机械设备在标准化、节省室内空间的TDSO包装形式中集成了两个单独的传感器，厚度仅为1mm左右。Allegro的GMR传感器给予的传动齿轮齿和圆形磁场速率磁感应比目前市场上的商品更稳定、更可靠。

在APX321WG-7磁感应器的发展历史上，从霍尔效用的磁传感器到各种磁电效用的AMR磁传感器，到基于巨磁电阻的GMR磁传感器，再到基于隧道施工的磁电TMR传感器。在上一期中，soc芯片的AMR传感器显示了不单一的AMR传感器特性，那么基于巨磁电阻的GMR传感器有什么特点呢？

巨磁电阻是指永磁材料的电阻在具有外部电磁场效应时，与没有外部电磁场效应时发生前所未有的巨大变化。巨磁电是一种物理效应，它形成于一层磁性塑料薄膜结构。简单地说，如果在某些标准下，电磁场中化学物质的电阻特别大，它就被称为巨磁电效应。

Infineon GMR

英飞凌在GMR、AMR、TMR等方面积累了很强的技术性。集团旗下的XENSIVTM系列产品转角传感器以集成磁电(ixMR)技术而闻名。在许多传感器产品中，XENSIVTM系列产品不仅采用了磁电技术。如果只采用GMR技术，英飞凌的iGMR传感器非常适合广角镜头的应用。不同档次的信号分析集成使设计师能够改善磁盘分区，广泛应用于BLDC电机或转换传感器。

TLE5011是仅应用GMR技术视角传感器，根据正弦和余弦视角分量准确测量包含片式集成巨磁电阻(IGMR)元件的磁场力。TLE5011可覆盖0-360°全视角，电磁场工作范围极宽，覆盖30mt至50mt。

为了更好地完成准确的测量，iGMR传感器配备了高精度企业SD-ADC，数据通信是根据与SPI兼容的双串口通信(SSC)插口进行的，ADC和过滤装置是根据SSC和外部命令进行的。这个SSC插口是双重的，达到2Mbit/s。稳定性也有保证，所有组件都有符合JEDEC标准的锁定抗绕度，ESD>4kV。

在GMR与其他磁电技术集成设备中，英飞凌选择了自主创新的层叠安装技术。传感器系列产品的机械设备在标准化、节省室内空间的TDSO包装形式中集成了两个单独的传感器，厚度仅为1mm左右。这种集成磁电产生了更平衡的电磁场，室内空间的总面积显著较小。

AllegroGMR

Allegro的GMR传感器给予的传动齿轮齿和圆形磁场速率磁感应比目前市场上的商品更稳定、更可靠。首先，Allegro的GMR传感器系统对变化进行动态补偿；其次，分离元件集成消除了对外部PCB和元器件的要求。

以A19250系列产品为例，作为一种巨大的磁电GMRIC，小型集成包装形式包括单独覆盖成型包装形式中集成的电容和GMRIC，以及额外模具制成的导线水平稳定杆。GMR技术集成了高灵敏度MR（磁电）传感器元件和高精度BiCMOS电源电路，实际操作高精度、低电磁场。

Allegro的GMR技术选择了行业领先的信号分析优化算法，可以根据低频差分信号磁数据信号进行精确转换。高灵敏度的GMR与差分信号传感器紧密结合，对影响共模电磁场有原始的抑制作用，可以完成低振动和高间隔精度。同时，GMR传感器选择的SolidSpeed数据框架适用于高级数据解决方案，在极端系统软件级的影响下可以给出相对高度精确的边缘特征。

NVE GMR

NVE作为一家专门从事传感器的制造商，是磁矩电子设备传感器行业的经理。与霍尔效用或AMR等传感器相比，NVE的GMR传感器更小、更灵活、更准确。

NVEAA和AB系列产品模拟GMR传感器敏感性高，功能损耗低，体积小。这种优秀的多样性使它成为模拟传感器应用的常见选择，从坚固的制造和车辆部件、速度和电压传感器到低压、充电电池配电传感器及其植入式医疗器械。

仿真模拟GMR系列产品传感器应用NVE专利磁矩电子材料进行方向敏感输出。这种传感器对IC平面图的单一方向更敏感。仿真模拟GMR系列产品给出全正负极输出，即沿敏感轴正方向或负电磁场输出相同。为了保证输出的稳定性，所有传感器都配备了温度补偿惠斯通电桥。GMR传感器具有高输出数据信号，便于与微处理器插座连接。该线路应用于8针ATTiny85Trinket，足以连接传感器并输出数据和PWM。当然，这种合适的硬件配置都是基于NVE的标准化输出。GMR电磁场传感器具有独特的磁感应静态数据电磁场工作能力。

总结

与AMR技术相比，GMR的技术制造商并不多，像TMR一样，属于游戏玩家少、专业性强的领域。巨大的电流磁效应给GMR传感器带来了很高的敏感性，除了高精度之外，每个制造商在巨大的磁传感器的独特优势也显示了每个GMR制造商的核心竞争力。