Vishay Siliconix首创将高、低MOSFET集成在同一封装，大幅节省占位空间并降低设计难度

     节省空间的器件在10V电压下的导通电阻低至5.8 mΩ，在+70℃下的最大电流达13.9A

    日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品 --- SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封装，在一个紧凑的器件内同时提供了低边和高边MOSFET，同时保持了低导通电阻和高最大电流的特性，比使用两个分立器件的方案节省了很多电路板空间。PowerPAIR的厚度为0.75 mm，比厚度为1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封装薄了28%。 

    在PowerPAIR型封装出现之前，工程师在设计用于笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器、游戏机的系统电源、POL、低电流DC-DC转换器和同步降压转换器，以及工业系统中的DC-DC转换器时，只能使用两个独立的器件来达到降低导通电阻和提高电流的目的。 

    例如，常规双MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻大约是30mΩ，最大电流不到10A，因此不是可行的方案。单MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低边沟道的MOSFET具有类似的导通电阻，在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为17.3A和13.9A。除此以外，高边沟道的MOSFET在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为13.1A和10.5A。这些指标令设计者能够用一个器件替代原先的两个器件，节省成本和空间，包括两个分立MOSFET间的空隙和标识面积。在一些更低电流和更低电压的应用中，甚至可以用PowerPAIR器件替换两个SO-8封装的MOSFET，至少能够节省三分之二的空间。 

    由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接上了，电路板的布局会更加简单，PCB走线的寄生电感也减小了，提高了系统效率。此外，SiZ700DT在引脚排列上了优化，这样在一个典型的降压转换器上，输入引脚被安排在一侧，输出引脚是在另外一侧，进一步简化了电路板布局。 

    器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。 

    性能规格表：