三星半导体设备投资传明年微幅加码，拟加盖 NAND 厂

韩国时报(Korea Times)15 日报导，三星电子明年将投资半导体设备 13.5 兆韩圜，或相当于 120 亿美元，稍高于今年的 13 兆韩圜。

全球记忆体晶片市场目前由三星、SK 海力士与美光所把持，三大厂市占率合计来到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加设备资本支出的主要考量是明年策略将放在维持价格稳定与市场供需平衡。

据报导，三星看准储存型快闪记忆体(NAND Flash)的市场需求有望增加，因此考虑明年在大陆西安开设新厂房。除此之外，有鉴于 DRAM 的需求平稳，三星也可能增加投资南韩国内的 17 线厂。

在逻辑晶片方面，报导还指出，三星的 14 奈米 FinFET 制程技术已赢得苹果下一代 A9 处理器大部分订单，并且将台积电打入第二线供应商。南韩《电子时报 (ETNews)》12 日引述业界消息也作出同样的报导。