真实案例，现场的MOS管大面积烧毁，百思不得其姐，求大神们分析原因

背景

电路图 手册

现场照片

各位怎么看？欢迎评论区留言！

部分网友回复

网友zqf441775525：感觉R15有点大，充电速度太慢，导致MOS管长时间处于半导通状态。R15可改成2K试试（改成1K貌似功率不够）。

网友dog：应该是击穿损坏，那个钳位到24V算不算【电磁阀】的正端？其实我觉得反而应该用二极管把它隔离，高电压放到电源上，会影响电源。电磁阀【负端】到【正端】用二极管钳位，同时并联多个【小ESR的电容】吸收自感产生的电压。一定要在最近【电磁阀】屁股的地方。还有上面说的VGS，一般的没有24V。

作者songxunwen回复：电磁阀正端接的电源24V，MOS控制负端的通断。D19负极接24V，正极接MOS的漏极是为了在控制器这边给电磁阀续流用的，因为相当于二极管反向并联在了电磁阀正负极上，但这个续流二极管距离电磁阀线路比较长，是不是效果受到了影响。可能如你所说真的要在电磁阀上近端直接安装二极管和电容。

网友dog：是的，一般人我不告诉他。在屁股上面消除高频电磁干扰。到了板上，就无力回天。

网友linyibinleo：看着应用应该是MOS管驱动能力弱了，处于半导通状态烧坏的。

网友alexcnsz：R15阻值太大，光耦次级信号拖尾，会导致MOS管不能完全饱和导通。

网友goodjob2：R15和R16太大了，充放电都慢。最好用MOS驱动IC来驱动MOS管，一劳永逸。不是高手的话自己搭驱动电路再怎么改也总是各种问题很难稳定（血的教训）。

网友polarbear：拿个示波器去测试下波形，这样才好分析；电路看不出啥问题，该加的都加了。

网友tomzbj：我感觉就是R15太大了, 导通太慢. 推mos还是尽可能用推挽驱动吧, 要么就换成达林顿得了。

网友keshipt：

1、由于导线较长会产生压降，建议量一下电磁铁两端的电压，看看是否大于21.6V（电压过低的话 电流会剧增）;
2、串个电流表测一下负载工作时的额定电流及峰值电流;
3、D19续流二极管有条件的话放在电磁铁旁边;
4、R15建议减小。

如果电压和电流都达标 那就有可能是器件问题了

网友Romate：悄咪咪的告诉你 在负载两端并联一个474/100v的cbb电容，你会发现问题解决了，不要问我为什么知道，因为他妈老子干踩过这个坑，加了二极管什么的一点作用没有的，并上cbb啥问题没有了。

网友huike：大概率是关断时振荡烧的。关断时的反峰冲击，导致电源有干扰，导致了MOS管该关不关，仅靠10K的电阻让MOS主动关断，是很傻的！这个10K电阻只是用于断电时MOS有一个电阻，不会让电荷累积而导通，而你连带电工作时的关断都靠这个，，，很简单，关断加一个下拉三极管，如果还会烧，你来找我！

网友kitten：MOS最好用推挽的方式驱动。你这个光耦意义不大，要保护的话，可以串电阻。

网友chunjiu：

这还要分析吗？老鸟都知道那儿就不该用 MOS

1、光耦关断时有个很长的斜坡，MOS 会进入放大区，变成电阻丝（电热丝）

2、我们的主控板悬空拿着靠近大功率逆变器，上面的 LED 会闪烁，所以光耦能保证可靠的开关吗？

3、那么长的连接线，MOS 上的栅极就无法保证干净的 0 电平，会引进各种莫名的感应电动势

4、线圈开关时激荡的电动势和 Layout、接线方式都有关联，接错位必然导致 MOS 被击穿

5、地线对外连接会有传导干扰的冲击，MOS 很难扛得住

作者songxunwen回复：我这几天没在公司，但公司技术人员也一直在测试，5秒开5秒关，甚至0.5s开关，一直循环都测试了好几天了，没有一个坏的，甚至mos几乎不热。线长也是模拟现场的长度。波形也抓过，电磁阀开关时漏极瞬时电压到25.4V左右，续流二极管应该起作用了。输出短路也测试过，自恢复保险起作用，不会烧mos。还是没搞懂什么原因。因为大部分坛友分析是栅极电阻太大，如果是这个原因导致烧毁，测试过程中mos应该发热才对。

芯片之家的各位大神们，大家觉得电路有问题吗，你怎么看，欢迎留言探讨！