关于MOSFET驱动电阻的选择

可以看到当Rg比较小时驱动电压上冲会比较高，震荡比较多，L越大越明显，此时会对MOSFET及其他器件性能产生影响。但是阻值过大时驱动波形上升比较慢，当MOSFET有较大电流通过时会有不利影响。

MOSFET有较大电流通过时

此外也要看到，当L比较小时，此时驱动电流的峰值比较大，而一般IC的驱动电流输出能力都是有一定限制的，当实际驱动电流达到IC输出的最大值时，此时IC输出相当于一个恒流源，对Cgs线性充电，驱动电压波形的上升率会变慢。电流曲线就可能如左图所示（此时由于电流不变，电感不起作用）。这样可能会对IC的可靠性产生影响，电压波形上升段可能会产生一个小的台阶或毛刺。

IC的PWM OUT输出

一般IC的PWM OUT输出如左图所示，内部集成了限流电阻Rsource和Rsink，通常Rsource>Rsink，具体数值大小同IC的峰值驱动输出能力有关，可以近似认为R=Vcc/Ipeak。一般IC的驱动输出能力在0.5A左右，因此Rsource在20Ω左右。

由前面的电压电流曲线可以看到一般的应用中IC的驱动可以直接驱动MOSFET，但是考虑到通常驱动走线不是直线，感量可能会更大，并且为了防止外部干扰，还是要使用Rg驱动电阻进行抑制。考虑到走线分布电容的影响，这个电阻要尽量靠近MOSFET的栅极。

表

可以看到L对上升时间的影响比较小，主要还是Rg影响比较大。上升时间可以用2*Rg*Cgs来近似估算，通常上升时间小于导通时间的二十分之一时，MOSFET开关导通时的损耗不致于会太大造成发热问题，因此当MOSFET的最小导通时间确定后Rg最大值也就确定了 ，一般Rg在取值范围内越小越好，但是考虑EMI的话可以适当取大。

以上讨论的是MOSFET ON状态时电阻的选择，在MOSFET OFF状态时为了保证栅极电荷快速泻放，此时阻值要尽量小，这也是Rsink

图

实际使用中还要考虑MOSFET栅漏极还有个电容Cgd的影响，MOSFET ON时Rg还要对Cgd充电，会改变电压上升斜率，OFF时VCC会通过Cgd向Cgs充电，此时必须保证Cgs上的电荷快速放掉，否则会导致MOSFET的异常导通。