东芝全新MOSFET系列产品实现低导通电阻与高速表现

东芝半导体(Toshiba)推出全新U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET 40V与45V系列产品，其具备低导通电阻和高速之优良表现，U-MOS9系列MOSFET产品阵容提供更多样化产品选择，以满足制造商各式需求。回应市场期待与需求，系列产品即日起开始出货。

此MOSFET新品利用东芝低电压最新世代沟槽结构之U-MOS九代制程以达到领先业界[1]的低导通电阻及高速表现，其全新结构有效降低“RDS(ON) * Qsw，借由降低输出电荷以改善输出时所产生之损耗，有助提高产品效率?此外，全新MOSFET利用优化其晶粒结构抑制切换时产出之湧浪电压及振铃，有效降低电磁干扰，此产品之创新研发已超越目前东芝现有产品。

全新U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET系列有13个40V与5个45V产品是专为工业及消费性产品应用所设计，包含：高效率直流-直流转换器、高效率交流-直流转换器，电源供应器和马达驱动器。

产品特色╱规格

‧低导通电阻

RDS(ON)= 0.80 mΩ (max) ＠VGS= 10V (TPWR8004PL)

RDS(ON)= 0.99 mΩ (max) ＠VGS= 10V (TPW1R005PL)

‧低输出电荷

‧高速表现

‧低切换杂讯

‧提供4.5V逻辑准位驱动